28nm
因為性(xing)價(jia)比(bi)進步(bu)一直以來(lai)都被(bei)視為摩爾(er)定律(lv)的(de)中心意義，所以20nm以下制程的(de)本錢上升問題一度被(bei)認為是摩爾(er)定律(lv)開端失效的(de)標(biao)志，而28nm作為最具性(xing)價(jia)比(bi)的(de)制程工藝，具有很(hen)長的(de)生命(ming)周期。

在規(gui)劃(hua)本(ben)錢不斷上升的情(qing)況下，只要少數客戶(hu)能(neng)負擔得起轉(zhuan)向(xiang)高檔(dang)節點的費用。據Gartner統計(ji)，16nm /14nm芯片的均勻IC規(gui)劃(hua)本(ben)錢約(yue)為(wei)8000萬(wan)美(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)，而28nm體硅制(zhi)程器(qi)材(cai)(cai)約(yue)為(wei)3000萬(wan)美(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)，規(gui)劃(hua)7nm芯片則需求2.71億(yi)美(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)。IBS的數據顯示：28nm體硅器(qi)材(cai)(cai)的規(gui)劃(hua)本(ben)錢大致在5130萬(wan)美(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)左右，而7nm芯片需求2.98億(yi)美(mei)元(yuan)(yuan)(yuan)。關于大都(dou)客戶(hu)而言，轉(zhuan)向(xiang)16nm/14nm的FinFET制(zhi)程太昂貴了。
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就(jiu)單(dan)位芯片本錢(qian)而言，28nm優勢(shi)顯著(zhu)，將堅持較長生命周期(qi)。一方面，相較于40nm及更早期(qi)制程(cheng)，28nm工藝(yi)在頻率(lv)調節、功耗操控、散熱管理(li)和尺(chi)度(du)緊縮方面具有顯著(zhu)優勢(shi)。另一方面，因為(wei)16nm/14nm及更先進制程(cheng)采用FinFET技能，維持高參數良率(lv)以及低缺點密度(du)難度(du)加大，每個邏輯閘的本錢(qian)都(dou)要高于28nm制程(cheng)的。

28nm處(chu)于(yu)32nm和22nm之間，業(ye)界在(zai)(zai)更早的(de)45nm階段引入了high-k值絕緣層(ceng)/金屬柵極（HKMG）工藝，在(zai)(zai)32nm處(chu)引入了第二(er)代 high-k 絕緣層(ceng)/金屬柵工藝，這(zhe)些為(wei)28nm的(de)逐漸成(cheng)熟打下了根底。而在(zai)(zai)之后(hou)的(de)先進工藝方面，從22nm開端采用FinFET（鰭式場效應晶(jing)體管）等。可見，28nm正好處(chu)于(yu)制程過渡的(de)關(guan)鍵(jian)點上，這(zhe)也是其性價(jia)比高的(de)一(yi)個重要原因。

現(xian)在(zai)，行業內(nei)的28nm制程首要(yao)在(zai)臺積電，GF（格芯），聯電，三星和中芯世界這5家之(zhi)間競賽，別(bie)的，2018年底宣告量產聯發(fa)科28nm芯片的華虹旗下的華力微電子(zi)也開端參加競賽隊伍。

雖(sui)然(ran)高(gao)端市場會被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據，但40nm、28nm等并不會退出。如(ru)28nm~16nm工藝現在(zai)仍然(ran)是臺(tai)積電營收的重要組(zu)成部(bu)分，特別是在(zai)中國大陸(lu)建設的代工廠，便是以16nm為主。中芯世界則在(zai)持續進步28nm良率。



14/16nm
14nm制(zhi)程(cheng)首(shou)要(yao)用于中(zhong)高(gao)端AP/SoC、GPU、礦機ASIC、FPGA、汽車半導體等制(zhi)造(zao)。關于各廠(chang)商而(er)言，該制(zhi)程(cheng)也(ye)是收入的(de)(de)首(shou)要(yao)來歷，特別(bie)是英特爾(er)，14nm是其(qi)現在的(de)(de)首(shou)要(yao)制(zhi)程(cheng)工藝，以(yi)該公司的(de)(de)體量而(er)言，其(qi)帶來的(de)(de)收入可想(xiang)而(er)知。而(er)關于中(zhong)國(guo)大(da)陸本(ben)土的(de)(de)晶圓代工廠(chang)來說，特別(bie)是中(zhong)芯世(shi)界和(he)華虹，正(zheng)在開發14nm制(zhi)程(cheng)技能(neng)，距離量產時刻(ke)也(ye)不遠(yuan)了。

現在來(lai)看，具有(you)或行將具有(you)14nm制(zhi)程產能(neng)的廠商首要有(you)7家(jia)，分(fen)別是：英(ying)特爾(er)、臺(tai)積電、三星、格(ge)芯(xin)、聯電、中芯(xin)世(shi)界和華虹。

同(tong)為(wei)14nm制(zhi)程(cheng)，因為(wei)英特爾嚴格追求摩爾定律，因此其(qi)制(zhi)程(cheng)的(de)(de)水平(ping)和(he)謹慎(shen)度是最高的(de)(de)，就(jiu)現在已發(fa)布(bu)的(de)(de)技能來看，英特爾持續(xu)更(geng)新的(de)(de)14nm制(zhi)程(cheng)與臺(tai)積電的(de)(de)10nm大致同(tong)級。

本年5月，英特爾(er)稱將于第3季度添加14nm制程(cheng)產能，以(yi)解決CPU市場(chang)的(de)缺貨問(wen)題。

但是，英特爾公司自己的(de)14nm產能現已滿載，因此，該公司投入(ru)15億美(mei)元，用于擴大14nm產能，預計(ji)可在本年第3季(ji)度添加產出。其14nm制程芯片首要(yao)在美(mei)國亞利桑(sang)那州及俄(e)勒岡的(de)D1X晶圓(yuan)廠出產，海外14nm晶圓(yuan)廠是位(wei)于愛(ai)爾蘭的(de)Fab 24，現在還(huan)在升(sheng)級(ji)14nm工藝(yi)。

三星方面，該(gai)公司(si)于2015年宣告正式量產(chan)14nm FinFET制程，先后為蘋(pin)果和高通代(dai)工(gong)過高端(duan)手機處理器。現在來看，其14nm產(chan)能市(shi)場占有(you)率僅次于英特爾和臺積電。

臺積電于2015下半年量產16nm FinFET制(zhi)程。與三星和英特(te)爾相(xiang)比，雖然它們的節點命名(ming)有(you)所不同，三星和英特(te)爾是14nm，臺積電是16nm，但在實踐制(zhi)程工(gong)藝水(shui)平上處于同一代代。

2018年8月，格芯宣告拋棄7nm LP制程(cheng)研制，將更多資源投入到12nm和14nm制程(cheng)。

格芯(xin)擬定了兩條工(gong)藝路(lu)線(xian)圖：一是FinFET，這方面，該公(gong)司(si)有14LPP和(he)新的12LPP（14LPP到7LP的過渡版(ban)別）；二是FD-SOI，格芯(xin)現在在產的是22FDX，當客(ke)戶需求時，還會發(fa)布(bu)12FDX。

聯(lian)電(dian)方面(mian)，其14nm制程占比(bi)只要3%左右，并不是其主力產線。這與該公(gong)司(si)的(de)開(kai)展(zhan)戰(zhan)略直接相(xiang)關，聯(lian)電(dian)重點(dian)開(kai)展(zhan)特(te)別工(gong)藝，無論(lun)是8吋(cun)廠，仍是12吋(cun)廠，該公(gong)司(si)會聚焦在各種新的(de)特(te)別工(gong)藝開(kai)展(zhan)上。

中芯(xin)(xin)世(shi)界(jie)方(fang)面，其(qi)14nm FinFET已(yi)進入(ru)客(ke)戶實驗(yan)階段(duan)，2019年第二季在上海工(gong)廠投入(ru)新(xin)設備，規(gui)劃(hua)下半年進入(ru)量產階段(duan)，未來，其(qi)首(shou)個14nm制(zhi)程客(ke)戶很可能是手機(ji)芯(xin)(xin)片廠商。據悉(xi)，2019年，中芯(xin)(xin)世(shi)界(jie)的本錢支出由(you)2018年的18億(yi)美元(yuan)進步到了(le)22億(yi)美元(yuan)。

華(hua)力微(wei)電子(zi)方面，在年(nian)頭(tou)的SEMICON China 2019先進制(zhi)造(zao)論壇上，該公司研制(zhi)副(fu)總裁邵華(hua)發(fa)表演講(jiang)時表示(shi)，華(hua)力微(wei)電子(zi)本年(nian)年(nian)底將量產28nm HKC+工(gong)藝，2020年(nian)底將量產14nm FinFET工(gong)藝。

12nm
從現在的晶(jing)圓代工市場來看，具(ju)備12nm制程(cheng)(cheng)技能(neng)能(neng)力的廠商很(hen)少，首要有臺積電、格(ge)芯、三星(xing)和(he)聯電。聯電于2018年宣告中(zhong)止12nm及更先進制程(cheng)(cheng)工藝的研制。因此，現在來看，全球晶(jing)圓代工市場，12nm的首要玩家便是臺積電、格(ge)芯和(he)三星(xing)這三家。

臺積(ji)電的(de)16nm制(zhi)(zhi)程(cheng)閱歷了16nm FinFET、16FF＋和16FFC三代，之后進入了第四代16nm制(zhi)(zhi)程(cheng)技能(neng)，此(ci)刻，臺積(ji)電改(gai)動戰略，推出了改(gai)版制(zhi)(zhi)程(cheng)，也(ye)便是(shi)12nm技能(neng)，用以招(zhao)引(yin)更多(duo)客(ke)戶訂單，然后進步12吋晶圓廠的(de)產能(neng)利用率。因(yin)此(ci)，臺積(ji)電的(de)12nm制(zhi)(zhi)程(cheng)便是(shi)其第四代16nm技能(neng)。

格(ge)(ge)芯(xin)于2018年宣(xuan)告退出10nm及更先進(jin)(jin)制(zhi)程(cheng)的(de)研制(zhi)，這(zhe)樣，該公(gong)司的(de)最早(zao)進(jin)(jin)制(zhi)程(cheng)便是(shi)12nm了(le)。該公(gong)司是(shi)分兩條腿走(zou)路的(de)，即FinFET和FD-SOI，這(zhe)也(ye)充沛體現在了(le)12nm制(zhi)程(cheng)上，在FinFET方面，該公(gong)司有12LP技能，而在FD-SOI方面，有12FDX。12LP首要(yao)針對人工(gong)智(zhi)能、虛擬現實、智(zhi)能手機、網絡根底設施等應用，利用了(le)格(ge)(ge)芯(xin)在紐(niu)約薩拉托加縣Fab 8的(de)專業技能，該工(gong)廠自2016年頭(tou)以來，一(yi)直在大規模量產格(ge)(ge)芯(xin)的(de)14nm FinFET產品。

因為(wei)許多連接設備既需求(qiu)高度集成(cheng)，又要(yao)求(qiu)具有更(geng)靈活的(de)功能和(he)功耗(hao)，而這是FinFET難以完(wan)結(jie)的(de)，12FDX則(ze)供給了一種(zhong)替代途徑，可以完(wan)結(jie)比FinFET產品功耗(hao)更(geng)低、本(ben)錢更(geng)低、射頻集成(cheng)更(geng)優。

三(san)(san)星(xing)(xing)方面，其晶圓代工(gong)(gong)路(lu)線(xian)圖中原(yuan)本是(shi)沒有(you)(you)12nm工(gong)(gong)藝的(de)(de)，只(zhi)要11nm LPP。不過，三(san)(san)星(xing)(xing)的(de)(de)11 LPP和格芯(xin)的(de)(de)12nm LP其實(shi)是(shi)“師出同門”，都(dou)是(shi)對三(san)(san)星(xing)(xing)14nm改(gai)良的(de)(de)產物，晶體管(guan)密度改(gai)變不大，效能則有(you)(you)所添加。因此，格芯(xin)的(de)(de)12nm LP與三(san)(san)星(xing)(xing)的(de)(de)12nm制程有(you)(you)非常多的(de)(de)共同之(zhi)處，這可能也是(shi)AMD找(zhao)三(san)(san)星(xing)(xing)代工(gong)(gong)12nm產品的(de)(de)原(yuan)因之(zhi)一。

中(zhong)芯(xin)世界方(fang)面，不(bu)只14nm FinFET制程(cheng)已(yi)進(jin)入客戶(hu)風險量產階段(duan)，并且在(zai)2019年第(di)(di)一季度，其12nm制程(cheng)工藝開發(fa)進(jin)入客戶(hu)導入階段(duan)，第(di)(di)二代FinFET N+1研制獲得打破，進(jin)展超過預期，一起，上海中(zhong)芯(xin)南邊FinFET工廠順暢建(jian)造完結(jie)，進(jin)入產能布(bu)建(jian)階段(duan)。這(zhe)意(yi)味著用不(bu)了多久，一個新的12nm制程(cheng)玩家將殺入戰團。

10nm
到(dao)了(le)(le)10nm這個(ge)節(jie)點，行業玩家就只剩下臺積電、三星和英特爾了(le)(le)。

總(zong)的(de)來說，臺積電仍是領先的(de)，其典型(xing)產品便是2017年(nian)為蘋(pin)果代工的(de)A11處理器。而三星(xing)也(ye)緊(jin)跟(gen)步伐(fa)，在10nm這(zhe)個點，兩邊的(de)進展相差(cha)不大，但總(zong)體水(shui)平，臺積電仍然略勝一籌。

本年，英(ying)特(te)爾(er)的(de)(de)(de)老(lao)對手(shou)AMD打起了(le)(le)翻身仗，憑借臺積電代工的(de)(de)(de)7nm銳(rui)龍3000系列處理器，讓AMD在CPU處理器的(de)(de)(de)制程工藝(yi)上初次超越(yue)了(le)(le)英(ying)特(te)爾(er)。

而(er)現在，英特爾的干流(liu)制程是14nm，不過(guo)，前(qian)不久傳(chuan)來消息，經過(guo)多年(nian)的攻關(guan)，該公司總算解決了(le)10nm工藝的技能難題，現已開端量產。

不過，英特(te)爾對制程節點的(de)(de)謹慎追求是(shi)很值得(de)稱道的(de)(de)，從具體的(de)(de)功能(neng)指標，特(te)別是(shi)PPA和晶體管密度來看，英特(te)爾的(de)(de)10nm比臺積電的(de)(de)10nm有優勢。

7nm
在(zai)(zai)7nm，現在(zai)(zai)只(zhi)要臺(tai)(tai)積(ji)(ji)電(dian)和三(san)星兩家了(le)(le)，并且三(san)星的量(liang)(liang)產時(shi)刻相關于臺(tai)(tai)積(ji)(ji)電(dian)顯著滯后(hou)，這(zhe)讓(rang)三(san)星不(bu)(bu)得不(bu)(bu)越過(guo)7nm，直接(jie)上7nm EUV，這(zhe)使得像(xiang)蘋果(guo)、華為、AMD、英偉達這(zhe)樣(yang)的7nm制程大客戶(hu)訂單，幾乎都(dou)被臺(tai)(tai)積(ji)(ji)電(dian)搶(qiang)走了(le)(le)。在(zai)(zai)這(zhe)種先發優(you)勢下，臺(tai)(tai)積(ji)(ji)電(dian)的7nm產能現已有些應接(jie)不(bu)(bu)暇。而在(zai)(zai)7nm EUV量(liang)(liang)產方面，臺(tai)(tai)積(ji)(ji)電(dian)也領先了(le)(le)一步，代工(gong)的華為麒麟990現已商用(yong)，三(san)星7nm EUV代工(gong)的高通(tong)新一代處理(li)器也在(zai)(zai)出產傍邊，估量(liang)(liang)很快就(jiu)會(hui)面市了(le)(le)。

英(ying)特爾方面，在(zai)(zai)10nm之后(hou)，該公司稱(cheng)會(hui)在(zai)(zai)2021年(nian)推(tui)出7nm工(gong)藝，據悉，其(qi)7nm工(gong)藝現已走上(shang)正軌(gui)，功(gong)耗及功(gong)能看(kan)起來都(dou)非(fei)常好(hao)，依(yi)據之前的消息(xi)，7nm工(gong)藝會(hui)在(zai)(zai)2021年(nian)的數據中心GPU上(shang)首發。

結語(yu)
以上，就(jiu)業界現已(yi)量產(chan)的(de)干流先(xian)進(jin)(jin)制(zhi)程(cheng)工(gong)藝的(de)開展情況，以及相(xiang)關廠商(shang)的(de)進(jin)(jin)展進(jin)(jin)行了闡(chan)述。而(er)更先(xian)進(jin)(jin)的(de)5nm、3nm、2nm等還沒有(you)進(jin)(jin)入量產(chan)階(jie)段，就(jiu)不再詳述了。這(zhe)些制(zhi)程(cheng)節點(dian)現已(yi)鮮(xian)有(you)玩家(jia)(jia)了，現在只(zhi)要臺(tai)積電和三星這(zhe)兩家(jia)(jia)，臺(tai)積電稱(cheng)將于明年量產(chan)5nm，而(er)三星好像要越過(guo)5nm，直(zhi)接(jie)上3nm。
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